日前，Vishay Intertechnology, Inc.宣布推出業(yè)界首款帶有同體封裝的190V功率二極管的190V n通道功率MOSFET——SiA850DJ，該器件具有 2mm×2mm的較小占位面積以及0.75mm的超薄厚度。采用PowerPAK SC-70封裝的SiA850DJ還是在1.8V VGS時具有導通電阻額定值的業(yè)界首款此類器件。

SiA850DJ的典型應用將包括面向高壓壓電電動機的升壓直流到直流轉(zhuǎn)化器以及手機、PDA、MP3播放器及智能電話等便攜式設備中的有機LED(OLED)背光。

將MOSFET及功率二極管整合到同一封裝可幫助設計人員節(jié)約至少三分之一的PCB面積，同時由于無需使用外部二極管，因此可降低解決方案成本。較大器件在2.5V時達到導通電阻額定值，而SiA850DJ在1.8V時便可達到導通電阻額定值，由于無需使用電平位移電路，這進一步節(jié)約了板面空間。該器件的導通電阻值范圍介于1.8V VGS時17Ω～4.5V VGS時3.8Ω，0.5A時二極管正向電壓為1.2 V。

SiA850DJ 100%無鉛(Pb)，無鹵素，并且符合RoHS規(guī)范，因此符合有關消除有害物質(zhì)的國際法規(guī)要求。

目前，新型SiA850DJ的樣品及量產(chǎn)批量已可提供，大宗訂單的供貨周期為10～12周。