中國(guó)南車(chē)株洲所宣布，公司具完全自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的國(guó)內(nèi)首條、亦是全球第二條8英寸IGBT專業(yè)芯片線在株洲全面建成投產(chǎn)，首期預(yù)計(jì)實(shí)現(xiàn)年產(chǎn)12萬(wàn)片8英寸IGBT芯片，配套生產(chǎn)100萬(wàn)只IGBT模塊，年產(chǎn)值近20億元。這意味著，我國(guó)成功打破國(guó)外公司在高端IGBT芯片技術(shù)上的壟斷，并實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)業(yè)化突破。

IGBT是電力電子第三代器件，它可控制并提供大功率的電力設(shè)備電能變換，有效提升設(shè)備能源利用率、自動(dòng)化和智能化水平。初步估算，若將IGBT等電力電子技術(shù)應(yīng)用到全國(guó)20%的電機(jī)中，可使電能使用效率提高15%—30%，每年節(jié)電2000億千瓦時(shí)，相當(dāng)于兩個(gè)三峽電站的年發(fā)電量。IGBT的研發(fā)、制造、應(yīng)用成為衡量一個(gè)國(guó)家科技創(chuàng)新能力和高端制造業(yè)水平的重要標(biāo)志。

中國(guó)工程院院士、中國(guó)南車(chē)株洲所總經(jīng)理丁榮軍介紹，2012年，公司開(kāi)始在株洲投資15億元來(lái)建設(shè)這條8英寸IGBT專業(yè)芯片生產(chǎn)線，為的是攻克1200伏以上中高壓IGBT技術(shù)及產(chǎn)業(yè)化難題，打破國(guó)外公司在高端IGBT芯片關(guān)鍵技術(shù)上的壟斷。IGBT芯片從6英寸發(fā)展到8英寸，不僅單位時(shí)間芯片產(chǎn)能翻倍，還有著“質(zhì)”的飛躍：如它改變了原有芯片批量化生產(chǎn)模式，實(shí)現(xiàn)了單片生產(chǎn)，能確保產(chǎn)出芯片在質(zhì)量與性能上更優(yōu)越，材料成本則至少可降低20%。8英寸IGBT芯片擁有128個(gè)指甲蓋大小的“元胞”，每個(gè)元胞可承載電流由原來(lái)的50安培提高到了75安培，增大了50%的負(fù)載，芯片被封裝成模塊，應(yīng)用于設(shè)備后，損耗更少，可帶來(lái)后續(xù)諸多良好的環(huán)保節(jié)能效應(yīng)。

截至目前，中國(guó)南車(chē)先后累計(jì)投入超過(guò)30億元，在IGBT芯片設(shè)計(jì)、封裝測(cè)試、可靠性試驗(yàn)、系統(tǒng)應(yīng)用上攻克了30多項(xiàng)重大難題，掌握了IGBT芯片設(shè)計(jì)及封裝成套關(guān)鍵技術(shù)，建立了完整的IGBT規(guī)�；�、專業(yè)化生產(chǎn)工藝體系，成功研制出從650伏到6500伏高功率密度IGBT芯片及模塊，形成了IGBT的完整產(chǎn)業(yè)鏈。公司是國(guó)內(nèi)唯一自主掌握集IGBT芯片、模塊、組件、應(yīng)用全套技術(shù)的企業(yè)。