~Si826x隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器基于CMOS工藝，可直接替換工業(yè)電力系統(tǒng)中的光電耦合驅(qū)動(dòng)器~

　　中國(guó)北京，2013年5月9日 -- 高性能模擬與混合信號(hào)IC領(lǐng)導(dǎo)廠商Silicon Labs （芯科實(shí)驗(yàn)室有限公司, NASDAQ: SLAB）今日宣布推出業(yè)界首款基于CMOS工藝的數(shù)字解決方案，可直接替換光電耦合隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器（簡(jiǎn)稱光電耦合驅(qū)動(dòng)器）。新型Si826x隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器支持高達(dá)5kV隔離等級(jí)和10kV浪涌保護(hù)，其理想的配置和封裝特別適合替換光電耦合驅(qū)動(dòng)器，廣泛應(yīng)用于高功率電機(jī)控制、工業(yè)驅(qū)動(dòng)器、太陽(yáng)能電源和EV/HEV逆變器、開關(guān)模式和不間斷電源等。

　　在電機(jī)控制和其他工業(yè)電力系統(tǒng)中，需要有長(zhǎng)期可靠性、延長(zhǎng)的保修期，并且安全運(yùn)行長(zhǎng)達(dá)20年，易出故障的光電耦合驅(qū)動(dòng)器往往成為薄弱環(huán)節(jié)。光電耦合驅(qū)動(dòng)器由于基于LED技術(shù)，信號(hào)輸出容易受到輸入電流、溫度和老化的影響，而Si826x隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器可以消除以上影響。特別是輸入開關(guān)電流的變化減小，開發(fā)人員無需擔(dān)心老化的影響，由此可簡(jiǎn)化系統(tǒng)設(shè)計(jì)。由于具有更高的器件可靠性和更長(zhǎng)的生命周期，將幫助系統(tǒng)供應(yīng)商支持長(zhǎng)期質(zhì)保，并降低產(chǎn)品維修和更換等成本。

　　基于Silicon Labs經(jīng)過驗(yàn)證的數(shù)字隔離技術(shù)，Si826x系列產(chǎn)品與普遍使用的光電耦合驅(qū)動(dòng)器引腳和封裝兼容，成為后者的功能升級(jí)解決方案。Si826x隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器采用調(diào)制的高頻載波，代替LED光模擬光電耦合驅(qū)動(dòng)器。其簡(jiǎn)化的數(shù)字架構(gòu)能提供可靠的隔離數(shù)據(jù)路徑，因而無需在啟動(dòng)時(shí)做特殊考慮或初始化。雖然Si826x輸入電路模擬LED特性，但是由于驅(qū)動(dòng)電流較小，可獲得更高的效率。Si826x器件的傳播延遲與輸入驅(qū)動(dòng)電流無關(guān)，因而連續(xù)的傳播延時(shí)短（25ns）、單元間變化小，并且輸入電路設(shè)計(jì)更加靈活。

　　Si826x隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器的傳播延遲和斜率與光電耦合驅(qū)動(dòng)器相比低10倍，可提升反饋環(huán)路的響應(yīng)時(shí)間，增強(qiáng)系統(tǒng)效率。Si826x器件還具備超強(qiáng)的抗干擾能力，在諸如工業(yè)電機(jī)控制等惡劣嘈雜環(huán)境中，能提供可靠的長(zhǎng)時(shí)間無毛刺性能。與光電耦合驅(qū)動(dòng)器不同，隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器在全溫度和時(shí)間范圍內(nèi)性能穩(wěn)定，不會(huì)產(chǎn)生漂移。由于以上優(yōu)勢(shì)，Si826x系列產(chǎn)品比光電耦合驅(qū)動(dòng)器具有更長(zhǎng)的服務(wù)壽命和顯著的高可靠性。

　　在電機(jī)控制和電源逆變器應(yīng)用中，Si826x柵極驅(qū)動(dòng)器非常適用于驅(qū)動(dòng)功率MOSFET和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）。Si826x器件支持高達(dá)30V的柵極驅(qū)動(dòng)電壓，峰值輸出電流范圍0.6-4.0A，可為MOSFET和IGBT應(yīng)用提供最佳的驅(qū)動(dòng)強(qiáng)度，確保外部開關(guān)晶體管的快速開關(guān)效率達(dá)到最佳狀態(tài)。