一直以來,都說國產(chǎn)的芯片與國外的芯片差距很大,究竟為什么國產(chǎn)的企業(yè)很多用的都是國外的設(shè)備,在工藝上沒有國外那么先進,那差別究竟有多大?企業(yè)是否自知?又有怎樣的解決方法,從今年的世界杯,小編我在想國產(chǎn)LED芯片的究竟只能在LED行業(yè)踢“中超”,還是能走出國門踢“世界杯”呢?
昨天上午在OFweek半導(dǎo)體照明網(wǎng)上看到一則關(guān)于LED芯片企業(yè)上海藍光的報道。從這篇報道上,讓小編我對于目前上游芯片市場的火熱感到些擔(dān)憂,中國的芯片市場是怎樣的?未來又應(yīng)該怎么呢?小編我為了更深入了解國內(nèi)外的芯片企業(yè)差距在哪?如何應(yīng)對....等問題,淺析了下目前在技術(shù)層次的差異。
技術(shù)差異之襯底
目前國內(nèi)外有很多LED芯片廠家,但國內(nèi)外技術(shù)對比方面,國外芯片技術(shù)新,國內(nèi)芯片重產(chǎn)量不重技術(shù)。
據(jù)了解,目前LED芯片技術(shù)的發(fā)展關(guān)鍵在于襯底材料和晶圓生長技術(shù)。除了傳統(tǒng)的藍寶石、硅(Si)、碳化硅(SiC)襯底材料以外,氧化鋅(ZnO)和氮化鎵(GaN)等也是當(dāng)前LED芯片研究的焦點。雖然市面上大多都是采用藍寶石或碳化硅襯底來外延生長寬帶隙半導(dǎo)體氮化鎵,但是這兩種材料價格非常昂貴,且都被國外大企業(yè)所壟斷,而硅襯底不僅具有價格優(yōu)勢,也可制作出尺寸更大的襯底,提高MOCVD的利用率,從而提高管芯產(chǎn)率。所以,為突破國際專*壁壘,中國LED企業(yè)更多開始著手硅襯底材料的研究。但問題是,硅與氮化鎵的高質(zhì)量結(jié)合是LED芯片的技術(shù)難點,兩者的晶格常數(shù)和熱膨脹系數(shù)的巨大失配而引起的缺陷密度高和裂紋等技術(shù)問題長期以來阻礙著芯片領(lǐng)域的發(fā)展。