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SIMATIC S7-200 SMART，CPU ST20， 標(biāo)準(zhǔn) CPU，DC/DC/DC， 機(jī)載 I/O： 12 個(gè) 24V DC 數(shù)字輸入；8 DO 24V DC； 電源：DC 20.4 - 28.8V DC， 程序存儲(chǔ)器/數(shù)據(jù)存儲(chǔ)器 20 KB 網(wǎng)絡(luò)服務(wù)器支持 |
| 一般信息 |
| 產(chǎn)品類型標(biāo)志 |
CPU ST20 DC/DC/DC |
| 附帶程序包的 |
| ● 工程系統(tǒng) |
STEP 7 Micro/WIN SMART |
| 安裝方式/安裝 |
| 導(dǎo)軌安裝 |
是的; 標(biāo)準(zhǔn)導(dǎo)軌 |
| 電源電壓 |
| 額定值 (DC) |
24 V |
| 允許范圍，下限 (DC) |
20.4 V |
| 允許范圍，上限 (DC) |
28.8 V |
| 輸入電流 |
| 耗用電流，***大值 |
720 mA; 24 V DC |
| 接通電流，***大值 |
11.7 A; 28.8 V 時(shí) |
| 輸出電流 |
| 電流輸出，***大值 |
300 mA; 24 V DC 傳感器電源 |
| 用于背板總線 (DC 5 V)，***大值 |
1.4 A; ***大 5 V DC，用于 EM 總線 |
| 功率損失 |
| 功率損失，***大值 |
20 W |
| 存儲(chǔ)器 |
| 存儲(chǔ)器類型 |
DDR |
| 閃存 |
是的 |
| RAM |
是的 |
| 用于用戶數(shù)據(jù)的可用存儲(chǔ)器 |
8 kbyte |
| 存儲(chǔ)器大小 |
12 kbyte; 程序存儲(chǔ)器 |
| 微型存儲(chǔ)卡 |
是的; microSDHC 卡（可選） |
| 緩沖 |
| ● 存在 |
是的; 免維護(hù)，RTC 需要 7 天。 |
| CPU-處理時(shí)間 |
| 對于位運(yùn)算，典型值 |
150 ns; / 說明 |
| 對于字運(yùn)算，典型值 |
1.2 µs; / 說明 |
| 對于浮點(diǎn)運(yùn)算，典型值 |
3.6 µs; / 說明 |
| 地址范圍 |
| 外設(shè)地址范圍 |
| ● 輸入端 |
144 byte; 256 位數(shù)字量輸入和 56 字模擬量輸入 |
| ● 輸出端 |
144 byte; 256 位數(shù)字量輸出和 56 字模擬量輸出 |
| 時(shí)間 |
| 時(shí)鐘 |
| ● 類型 |
硬件時(shí)鐘，未緩沖 |
| ● 硬件時(shí)鐘（實(shí)時(shí)時(shí)鐘） |
是的 |
| ● 緩沖持續(xù)時(shí)間 |
7 d |
| ● 每日偏差，***大值 |
120 s; 25 °C 時(shí)在 120s/月范圍內(nèi) |
| 數(shù)字輸入 |
| 數(shù)字輸入端數(shù)量 |
12 |
| ● 可用來實(shí)現(xiàn)技術(shù)功能的輸入端 |
6; HSC（高速運(yùn)算） |
| 源型輸入/漏性輸入 |
是的 |
| 可同時(shí)控制的輸入端數(shù)量 |
| 所有安裝位置 |
| — ***高可達(dá) 40 ℃，***大值 |
12 |
| 輸入電壓 |
| ● 輸入電壓類型 |
DC |
| ● 額定值 (DC) |
24 V |
| ● 對于信號(hào)“0” |
I0.0 到 I0.3 < 1 V DC；I0.4 到 I2.7 < 5 V DC |
| ● 對于信號(hào)“1” |
I0.0 到 I0.3 > 4V；I0.4 到 I2.7 > 15V |
| 輸入電流 |
| ● 對于信號(hào)“0”，***大值（允許的閉路電流） |
1 mA |
| ● 對于信號(hào)“1”，典型值 |
4 mA |
| 輸入延遲（輸入電壓為額定值時(shí)） |
| 對于標(biāo)準(zhǔn)輸入端 |
| — 可參數(shù)化 |
是的; 0.2 ms、0.4 ms、0.8 ms、1.6 ms、3.2 ms、6.4 ms 和 12.8 ms，可在 4 個(gè)組別中選擇 |
| — 從“0”到“1”時(shí)，***小值 |
0.2 ms |
| — 從“0”到“1”時(shí)，***大值 |
12.8 ms |
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