型號
G3DZ-4B
功率MOS FET繼電器輸出
動作時間 10ms以下
復位時間 15ms以下
輸出ON電阻 2.4Ω以下
開路時漏電流 10μA以下(DC125V時)
絕緣電阻 100MΩ以上(DC500V兆歐表)
輸入輸出間耐電壓 AC2,000V 50/60Hz 1min
振動 10~55~10Hz 單振幅0.75mm(雙振幅1.5mm)
沖擊 500m/s2
使用環(huán)境溫度、保管溫度 -25~+55℃(無結冰)
使用環(huán)境濕度 45~85%RH
質(zhì)量 約65g